GD25LQ64ESIGR vs GD25LD80CSIG

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LQ64ESIGR und GD25LD80CSIG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LQ64ESIGR

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3762 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CSIG

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4443 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung 64MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208 IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
ProductStatus Active Active
MemoryType Non-Volatile Non-Volatile
MemoryFormat FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
MemorySize 64Mb (8M x 8) 8Mb (1M x 8)
MemoryInterface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
ClockFrequency 133 MHz 50 MHz
WriteCycleTime-WordPage 60µs, 2.4ms 60µs, 6ms
Voltage-Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AccessTime 7 ns -
Vergleichsmodell : GD25LQ64ESIGR GD25LD80CSIG

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