GD25LQ16CTIGR vs GD25LD80CSIG Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LQ16CTIGR und GD25LD80CSIG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LQ16CTIGR

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5761 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CSIG

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4443 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 16Mb (2M x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 104 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 2.4ms 60µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2.1V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : GD25LQ16CTIGR GD25LD80CSIG

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