GD25LQ64ESIGR vs GD25LQ20CTIGR

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LQ64ESIGR und GD25LQ20CTIGR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification GD25LQ64ESIGR GD25LQ20CTIGR
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 2Mb (256K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2.1V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
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