IR2117STRPBF vs IR2113SPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IR2117STRPBF und IR2113SPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IR2117STRPBF

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1294 Stückzahl | Infineon-Technologien
IR2113SPBF

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3933 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC 8N 16-SOIC
Beschreibung IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration High-Side Half-Bridge
ChannelType Single Independent
NumberofDrivers 1 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IR2117STRPBF IR2113SPBF

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