IRF530NSTRLPBF vs IRF530

Dieser detaillierte Vergleich von IRF530NSTRLPBF und IRF530 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRF530NSTRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
1441 Stückzahl
Package
TO-263-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF530

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1420 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRF530NSTRLPBF IRF530
Series HEXFET® STripFET™ II
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 458 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 60W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Through Hole
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