IRF530 vs IRF530PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF530 und IRF530PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRF530

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1420 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF530PBF

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
6309 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF530 IRF530PBF
Series STripFET™ II -
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 160mOhm @ 7A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 458 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 60W (Tc) 88W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare Anfrage