IRF5803TRPBF vs IRF5810TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF5803TRPBF und IRF5810TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TSOT-23-6
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
650pF @ 16V
Power-Max
-
960mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF5803
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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