IRF7304TRPBF vs IRF7319PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7304TRPBF und IRF7319PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7304TRPBF

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6900 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7319PBF

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5795 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Last Time Buy Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22nC @ 4.5V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 610pF @ 15V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.3A -
Vergleichsmodell : IRF7304TRPBF IRF7319PBF

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