IRF7314TRPBF vs IRF7301PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7314TRPBF und IRF7301PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-SOIC
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.3A
5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
58mOhm @ 2.9A, 4.5V
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
29nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 15V
660pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
