IRF7314TRPBF vs IRF7303QTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7314TRPBF und IRF7303QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7314TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2624 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7303QTRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6982 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7314TRPBF	IRF7303QTRPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.3A	4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	58mOhm @ 2.9A, 4.5V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	29nC @ 4.5V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	780pF @ 15V	520pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	HEXFET®	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

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