IRF7314TRPBF vs IRF7306QTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7314TRPBF und IRF7306QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7314TRPBF

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2624 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7306QTRPBF

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2711 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.3A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29nC @ 4.5V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 780pF @ 15V 440pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vergleichsmodell : IRF7314TRPBF IRF7306QTRPBF

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