IRF7328TRPBF vs IRF7338TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7328TRPBF und IRF7338TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7328TRPBF

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3724 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7338TRPBF

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3216 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A 6.3A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 21mOhm @ 8A, 10V 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 78nC @ 10V 8.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2675pF @ 25V 640pF @ 9V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7328TRPBF IRF7338TRPBF

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