IRF7351TRPBF vs IRF7341TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7351TRPBF und IRF7341TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1607 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7341TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4836 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7351TRPBF	IRF7341TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	8A	4.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 50µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1330pF @ 30V	740pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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