IRF7380PBF vs IRF7301PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7380PBF und IRF7301PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3152 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7301PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7366 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF7380PBF	IRF7301PBF
Supplier	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A	5.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	73mOhm @ 2.2A, 10V	50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	23nC @ 10V	20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 25V	660pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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