IRF7380PBF vs IRF7304QTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7380PBF und IRF7304QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3152 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
Part B

IRF7304QTRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
9130 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Specification IRF7380PBF IRF7304QTRPBF
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Part Status Discontinued at Digi-Key Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23nC @ 10V 22nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 25V 610pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -