IRF7380PBF vs IRF7331

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7380PBF und IRF7331 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7380PBF

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3152 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7331

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6524 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 7A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 1340pF @ 16V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7380PBF IRF7331

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