IRF7380PBF vs IRF7341PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341PBF und IRF7380PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
80V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
23nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
660pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
