IRF7380TRPBF vs IRF7301TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7380TRPBF und IRF7301TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7380TRPBF

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4277 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7301TRPBF

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6240 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Last Time Buy
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 660pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7380TRPBF IRF7301TRPBF

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