IRF7470TRPBF vs IRF7410TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7410TRPBF und IRF7470TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
12 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
16A (Ta)
10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
1.8V, 4.5V
2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
7mOhm @ 16A, 4.5V
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
900mV @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
91 nC @ 4.5 V
44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
8676 pF @ 10 V
3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
