IRF7470TRPBF vs IRF7416TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7416TRPBF und IRF7470TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Ta)
10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
92 nC @ 10 V
44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
