IRF7509TRPBF vs IRF7501TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7509TRPBF und IRF7501TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7509TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6411 Stückzahl
Package: TSSOP-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7501TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2020 Stückzahl
Package: TSSOP-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7509TRPBF	IRF7501TRPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Last Time Buy
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.7A, 2A	2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs	110mOhm @ 1.7A, 10V	135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	12nC @ 10V	8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	210pF @ 25V	260pF @ 15V
Power - Max	1.25W	1.25W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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