IRF7509TRPBF vs IRF7509TR

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7509TRPBF und IRF7509TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRF7509TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6411 Stückzahl
Package
TSSOP-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

IRF7509TR

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6511 Stückzahl
Package
TSSOP-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification IRF7509TRPBF IRF7509TR
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A, 2A 2.7A, 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 110mOhm @ 1.7A, 10V 110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 10V 12nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 210pF @ 25V 210pF @ 25V
Power - Max 1.25W 1.25W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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