IRF7509TRPBF vs IRF7507PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7509TRPBF und IRF7507PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7509TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6411 Stückzahl
Package: TSSOP-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7507PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 9351 Stückzahl
Package: TSSOP-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7509TRPBF	IRF7507PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.7A, 2A	2.4A, 1.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs	110mOhm @ 1.7A, 10V	140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	12nC @ 10V	8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	210pF @ 25V	260pF @ 15V
Power - Max	1.25W	1.25W
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

Compare Anfrage