IRF9358TRPBF vs IRF9389TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9389TRPBF und IRF9358TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.8A, 4.6A
9.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
14nC @ 10V
38nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
398pF @ 15V
1740pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
