IRF9389TRPBF vs IRF9310TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9310TRPBF und IRF9389TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF9310
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FET Type
P-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
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Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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6.8A, 4.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
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27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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2.3V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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14nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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398pF @ 15V
Power-Max
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2W
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
