IRF9310TRPBF vs IRF9388TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9310TRPBF und IRF9388TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF9310
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
