IRF9388TRPBF vs IRF9310PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9310PBF und IRF9388TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
20A (Tc)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 100µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
165 nC @ 10 V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5250 pF @ 15 V
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
