IRF9389TRPBF vs IRF9388TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9389TRPBF und IRF9388TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.8A, 4.6A
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
14nC @ 10V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
398pF @ 15V
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
Logic Level Gate
-
Power-Max
2W
-
