IRF9393TRPBF vs IRF9317TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9393TRPBF und IRF9317TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
9.2A (Ta)
16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V, 20V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 25µA
2.4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
92 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1110 pF @ 25 V
2820 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
