IRF9393TRPBF vs IRF9358PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF9393TRPBF und IRF9358PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
-
Discontinued at Digi-Key
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
1740pF @ 25V
Power - Max
-
2W
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
IRF9358
ProductStatus
Active
-
FETType
P-Channel
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
9.2A (Ta)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V, 20V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
-
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 25µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1110 pF @ 25 V
-
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
