IRF9393TRPBF vs IRF9358PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF9393TRPBF und IRF9358PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF9393TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4060 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF9358PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 9483 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

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Full specification comparison

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Specification	IRF9393TRPBF	IRF9358PBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	-	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	-	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-	9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-	1740pF @ 25V
Power - Max	-	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	-	IRF9358
FET Type	P-Channel	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	9.2A (Ta)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V, 20V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	13.3mOhm @ 9.2A, 20V	-
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 25µA	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V	-
Vgs(Max)	±25V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V	-
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	-

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