IRF9393TRPBF vs IRF9321TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF9393TRPBF und IRF9321TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF9393TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4060 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF9321TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5927 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF9393TRPBF	IRF9321TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	9.2A (Ta)	15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V, 20V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	13.3mOhm @ 9.2A, 20V	7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 25µA	2.4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V	98 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±25V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V	2590 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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