IRFB3306PBF vs IRFB3307PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3307PBF und IRFB3306PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-3
TO-220-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
130A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 150µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
180 nC @ 10 V
120 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5150 pF @ 50 V
4520 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
200W (Tc)
230W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
