IRFB3207ZPBF vs IRFB3306PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3207ZPBF und IRFB3306PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3207ZPBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2271 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB3306PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3253 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB3207ZPBF IRFB3306PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.1mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6920 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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