IRFB3207ZPBF vs IRFB3806PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3207ZPBF und IRFB3806PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3207ZPBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2271 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB3806PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5920 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB3207ZPBF IRFB3806PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.1mOhm @ 75A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6920 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 71W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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