IRFB4410ZPBF vs IRFB4332PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4410ZPBF und IRFB4332PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4410ZPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6749 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB4332PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2544 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB4410ZPBF IRFB4332PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 97A (Tc) 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 5860 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 390W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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