IRFB4410ZPBF vs IRFB4710PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4410ZPBF und IRFB4710PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4410ZPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6749 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB4710PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2708 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB4410ZPBF IRFB4710PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 97A (Tc) 75A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 6160 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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