IRFB7440PBF vs IRFB7430PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7430PBF und IRFB7440PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
TO-220
Beschreibung
MOSFET N CH 40V 195A TO220
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
195A (Tc)
120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
6V, 10V
6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.9V @ 250µA
3.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
460 nC @ 10 V
135 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
14240 pF @ 25 V
4730 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
143W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
