IRFB7434PBF vs IRFB7537PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7537PBF und IRFB7434PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB7537PBF

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5640 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFB7434PBF

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7189 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-220 TO-220-3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 173A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 294W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB7537PBF IRFB7434PBF

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