IRFB7440PBF vs IRFB7537PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7537PBF und IRFB7440PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB7537PBF

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5640 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFB7440PBF

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2934 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-220 TO-220
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 173A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 143W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB7537PBF IRFB7440PBF

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