IRFB7437PBF vs IRFB7430PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7430PBF und IRFB7437PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB7430PBF

+Stückliste

5760 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFB7437PBF

+Stückliste

2323 Stückzahl | Internationaler Gleichrichter
Paket TO-220 TO-220-3
Beschreibung MOSFET N CH 40V 195A TO220 IRFB7437 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 195A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB7430PBF IRFB7437PBF

+Stückliste Anfrage