IRFB7545PBF vs IRFB7537PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7545PBF und IRFB7537PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB7545PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5827 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFB7537PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5640 Stückzahl
Package: TO-220
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFB7545PBF	IRFB7537PBF
Series	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	95A (Tc)	173A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 57A, 10V	3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.7V @ 100µA	3.7V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V	210 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4010 pF @ 25 V	7020 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)	230W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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