IRFB7545PBF vs IRFB7430PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB7545PBF und IRFB7430PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB7545PBF

+Stückliste

5827 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFB7430PBF

+Stückliste

5760 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-220-3 TO-220
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 95A TO220 MOSFET N CH 40V 195A TO220
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 95A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB7545PBF IRFB7430PBF

+Stückliste Anfrage