IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFHM792TRPBF und IRFHM8363TR2PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
VDFN-8
VDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Last Time Buy
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 10µA
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6.3nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
251pF @ 25V
1165pF @ 10V
Power-Max
2.3W
2.7W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
