IRFHM830TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFHM830TRPBF und IRFHM8363TR2PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
VDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1165pF @ 10V
Power-Max
-
2.7W
MountingType
-
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRFHM830
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
