IRFP4768PBF vs IRFP460

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4768PBF und IRFP460 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7193 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRFP460

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 6198 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFP4768PBF	IRFP460
Series	HEXFET®	PowerMESH™ II
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	18.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	270mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	128 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	2980 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	520W (Tc)	220W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Base Product Number	IRFP4768	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	93A (Tc)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5mOhm @ 56A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10880 pF @ 50 V	-
Packaging	Tube	-

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