IRFR5305PBF vs IRFR5505

Dieser detaillierte Vergleich von IRFR5505 und IRFR5305PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFR5505

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6969 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFR5305PBF

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6395 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-252 TO-252-3
Beschreibung MOSFET P-CH 55V 18A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Discontinued at Digi-Key
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Tc) 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 110mOhm @ 9.6A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 57W (Tc) 110W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRFR5505 IRFR5305PBF

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