IRFR5305PBF vs IRFR5410PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFR5410PBF und IRFR5305PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFR5410PBF

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7061 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFR5305PBF

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6395 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-252-3 TO-252-3
Beschreibung MOSFET P-CH 100V 13A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A (Tc) 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 205mOhm @ 7.8A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 58 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 66W (Tc) 110W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRFR5410PBF IRFR5305PBF

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