IRFR5410PBF vs IRFR5305PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFR5410PBF und IRFR5305PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFR5410PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7061 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFR5305PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6395 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFR5410PBF	IRFR5305PBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Discontinued at Digi-Key
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	13A (Tc)	31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	205mOhm @ 7.8A, 10V	65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V	63 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	760 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	66W (Tc)	110W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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