IRFR5505TRPBF vs IRFR5410PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFR5505TRPBF und IRFR5410PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFR5505TRPBF

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3395 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFR5410PBF

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7061 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-252-3 TO-252-3
Beschreibung MOSFET P-CH 55V 18A DPAK MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Tc) 13A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 110mOhm @ 9.6A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 57W (Tc) 66W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRFR5505TRPBF IRFR5410PBF

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