IRFR5305TRPBF vs IRFR5410PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFR5410PBF und IRFR5305TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-252-3
TO-252-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
13A (Tc)
31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
66W (Tc)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
