IRLML0030TRPBF vs IRLML0100TRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML0100TRPBF und IRLML0030TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRLML0100TRPBF

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2453 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRLML0030TRPBF

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4058 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT-23 SOT-23
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A (Ta) 5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 25µA 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±16V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 290 pF @ 25 V 382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRLML0100TRPBF IRLML0030TRPBF

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